目前，硅是制造半導體芯片和器件的最主要原料，90%以上的半導體產(chǎn)品都是以硅為襯底制作的。

然而由于材料本身特性的限制，硅基功率器件已漸漸難以滿足5G、新能源車、高鐵等高功率高頻性能的要求。

東興證券指出，第三代半導體碳化硅有望替代硅，成為制備高壓及高頻器件新的襯底材料，目前正處在爆發(fā)前夜。

1）碳化硅有效提升功率器件功率密度和效率，降低系統(tǒng)成本

碳化硅作為寬禁帶半導體材料的一種，與硅的主要差別在禁帶寬度上。

這讓同性能的碳化硅器件尺寸縮小到硅基的十分之一，能量損失減少了四分之三。

尤其是在電動車領域，碳化硅器件的應用已經(jīng)成為提升電動車延長行駛里程、縮短充電時間及增大電池容量的重要手段，擁有著跟新能源車共成長的能力。

2019年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模為5.41億美元，預計2025年將增長至25.62億美元，年化復合增速約30%，是個5年5倍的市場。

2）襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，價值量占比近50%

碳化硅與硅基器件的原理相似，但碳化硅無論是材料還是器件的制造難度，都顯著高于傳統(tǒng)硅基。

其中大部分的難度都是碳化硅材料高熔點和高硬度所需特殊工藝帶來的，各步驟中難度和價值量最高的是襯底制備環(huán)節(jié)。

襯底方面美國科銳布局最早，產(chǎn)能和市占率最高。國內(nèi)以天科合達、山東天岳為首的襯底制造廠商正努力追趕。

而器件制造領域傳統(tǒng)的海外功率半導體龍頭仍有較髙份額，但領先優(yōu)勢相比于硅基器件有明顯減小。

3）第三代半導體，將對國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生全方面推動

東興證券認為，碳化硅除了器件本身,更對產(chǎn)業(yè)有著全方位的帶動，有里引領中國半導體進入黃金時代。

原因在于，在第三代半導體追趕的路上，中國企業(yè)受到的阻礙將遠小于傳統(tǒng)硅基領域，是中國大陸半導體(尤其是功率和射頻器件)追趕的極佳突破口。

第三代半導體器件主要的應用領域如新能源車、光伏和高鐵等，未來的主戰(zhàn)場都集中在中國國內(nèi)企業(yè)也與部分車企和家電企業(yè)等進行了配套和產(chǎn)業(yè)合作，國產(chǎn)器件逐漸導入終端產(chǎn)品供應鏈，為國內(nèi)企業(yè)帶來更多試用、改進的機會。

來源: 網(wǎng)易新聞